LGE3M60065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 36А; Idm: 97А; 208Вт

LGE3M60065Q
2 039.53 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
1 833.99 ₽
1 612.65 ₽
1 547.83 ₽
1 451.38 ₽
1 354.94 ₽
1 305.93 ₽
1 301.19 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "LGE3M60065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 36А; Idm: 97А; 208Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M60065Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
78нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
LGE3M60065Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
208Вт
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
36А
Ток стока в импульсном режиме
97А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m60065q.pdf, 5,876 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены