LGE3M70120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 85А; 200Вт

LGE3M70120Q

Срок поставки 4-6 недель

2 899.66 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
Цена
2 600.34 ₽
2 301.02 ₽
2 207.48 ₽
2 057.82 ₽
1 926.87 ₽
1 872.45 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "LGE3M70120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 85А; 200Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M70120Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
69нC
Код производителя
LGE3M70120Q
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
200Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,122Ом
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
27А
Ток стока в импульсном режиме
85А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m70120q.pdf, 1,703 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России