LGE3M80120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7

LGE3M80120J
2 074.85 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
250+
800+
Цена
1 860.78 ₽
1 646.71 ₽
1 476.80 ₽
1 376.50 ₽
1 335.33 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7" 1.

Артикул производителя
LGE3M80120J LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
20,8нC
Корпус
D2PAK-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-3...15В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
LGE3M80120J
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
136Вт
Сопротивление в открытом состоянии
96мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
23А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m80120j.pdf, 1,095 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России