LGE3M80120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 31А; Idm: 70А; 300Вт

LGE3M80120Q
2 039.53 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
450+
900+
1800+
Цена
1 833.99 ₽
1 612.65 ₽
1 547.83 ₽
1 451.38 ₽
1 354.94 ₽
1 305.93 ₽
1 301.19 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "LGE3M80120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 31А; Idm: 70А; 300Вт" 1.

Артикул производителя
LGE3M80120Q LUGUANG ELECTRONIC
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
76нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
LGE3M80120Q
Полярность
полевой
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Рассеиваемая мощность
300Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
31А
Ток стока в импульсном режиме
70А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (lge3m80120q.pdf, 1,200 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены