Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
326А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO215AB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
6,4В
Обозначение производителя
MASMLG5.0AE3
Обратное напряжение макс.
5В
Погрешность
±5%
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
3кВт
Тип диода
TVS
Ток утечки
1мА
Отзывы не найдены