Импульсный ток
115,4А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO214AB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
17,8В
Обозначение производителя
MASMLJ16AE3
Обратное напряжение макс.
16В
Погрешность
±5%
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
3кВт
Тип диода
TVS
Ток утечки
2мкА
Отзывы не найдены