MMIX1F180N25T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 250В; 132А; Idm: 500А; SMPD

MMIX1F180N25T

Срок поставки 4-6 недель

10 295.07 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
20+
Цена
9 104.59 ₽
8 175.17 ₽
7 634.35 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F180N25T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 250В; 132А; Idm: 500А; SMPD" 1.

Артикул производителя
MMIX1F180N25T IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
364нC
Код производителя
MMIX1F180N25T
Корпус
SMPD
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
250В
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
570Вт
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, Trench™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
132А
Ток стока в импульсном режиме
500А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России