MMIX1F360N15T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 150В; 235А; Idm: 900А; SMPD

MMIX1F360N15T2

Срок поставки 4-6 недель

10 618.20 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
20+
Цена
9 385.20 ₽
8 435.37 ₽
7 872.45 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F360N15T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 150В; 235А; Idm: 900А; SMPD" 1.

Артикул производителя
MMIX1F360N15T2 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
150нс
Заряд затвора
715нC
Код производителя
MMIX1F360N15T2
Корпус
SMPD
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
150В
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
680Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,4мОм
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
235А
Ток стока в импульсном режиме
900А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России