MMIX1T600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт

MMIX1T600N04T2

Срок поставки 4-6 недель

7 677.72 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
20+
Цена
6 790.82 ₽
6 098.64 ₽
5 688.78 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1T600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт" 1.

Артикул производителя
MMIX1T600N04T2 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
100нс
Заряд затвора
590нC
Код производителя
MMIX1T600N04T2
Корпус
SMPD
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
830Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,3мОм
Технология
GigaMOS™, TrenchT2™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
600А
Ток стока в импульсном режиме
2кА

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России