Импульсный ток
7,3А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO214AA
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
59,7В
Обозначение производителя
MSMBJ51A
Обратное напряжение макс.
51В
Погрешность
±5%
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
0,6кВт
Тип диода
TVS
Ток утечки
1мкА
Отзывы не найдены