Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
123А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO214AB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
17,6В
Обозначение производителя
MSMLJ15AE3TR
Обратное напряжение макс.
15В
Погрешность
±5%
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
3кВт
Тип диода
TVS
Ток утечки
2мкА
Отзывы не найдены