Импульсный ток
41,2А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO214AB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
52,7В
Обозначение производителя
MSMLJ45AE3
Обратное напряжение макс.
45В
Погрешность
±5%
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
3кВт
Тип диода
TVS
Ток утечки
2мкА
Отзывы не найдены