Импульсный ток
34,4А
Конструкция диода
двунаправленный
Корпус
DO214AB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
63,2В
Обозначение производителя
MSMLJ54CAE3
Обратное напряжение макс.
54В
Погрешность
±5%
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
3кВт
Тип диода
TVS
Ток утечки
2мкА
Отзывы не найдены