MXP120A080FW-GE3, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 58А; 56Вт

MXP120A080FW-GE3
1 533.60 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
30+
600+
Цена
1 339.13 ₽
1 239.53 ₽
1 106.72 ₽
1 086.17 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "MXP120A080FW-GE3, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 58А; 56Вт" 1.

Артикул производителя
MXP120A080FW-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
47,3нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
MXP120A080FW-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
56Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,175Ом
Технология
MaxSiC™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
18А
Ток стока в импульсном режиме
58А

Отзывы не найдены

Описание (mxp120a080fw.pdf, 238 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены