NTH4L020N120SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 84А; Idm: 408А; 255Вт

NTH4L020N120SC1
6 350.40 
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "NTH4L020N120SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 84А; Idm: 408А; 255Вт" 1.

Артикул производителя
NTH4L020N120SC1 ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,22мкC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-15...25В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
NTH4L020N120SC1
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
255Вт
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
84А
Ток стока в импульсном режиме
408А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (nth4l020n120sc1.pdf, 278 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены