NTH4L080N120SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

NTH4L080N120SC1
1 956.80 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
Цена
1 873.60 ₽
Доступность: 9 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "NTH4L080N120SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт" 1.

Артикул производителя
NTH4L080N120SC1 ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
56нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-15...25В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
NTH4L080N120SC1
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
28Вт
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
21А
Ток стока в импульсном режиме
125А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (nth4l080n120sc1.pdf, 414 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены