NTH4L160N120SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12,3А; Idm: 69А; 55,5Вт

NTH4L160N120SC1
1 649.60 
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "NTH4L160N120SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12,3А; Idm: 69А; 55,5Вт" 1.

Артикул производителя
NTH4L160N120SC1 ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
34нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-15...25В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
NTH4L160N120SC1
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
55,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
224мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
12,3А
Ток стока в импульсном режиме
69А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (nth4l160n120sc1.pdf, 272 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены