Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
23,5А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
D-FLAT
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
11,1...12,3В
Обозначение производителя
P4SMAJ10ADF-13
Обратное напряжение макс.
10В
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
0,4кВт
Тип диода
TVS
Ток утечки
1мкА
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Отзывы не найдены