Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
20,1А
Конструкция диода
двунаправленный
Корпус
SMA
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
13,3...14,7В
Обозначение производителя
P4SMAJ12CA_R1_00001
Обратное напряжение макс.
12В
Производитель
PanJit Semiconductor
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
0,4кВт
Серия производителя
P4SMAJ
Тип диода
TVS
Ток утечки
1мкА
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Отзывы не найдены