Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
11,3А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
D-FLAT
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
36,7...42,2В
Обозначение производителя
P6SMAJ33ADF-13
Обратное напряжение макс.
33В
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
0,6кВт
Тип диода
TVS
Ток утечки
1мкА
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Отзывы не найдены