Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
8,1А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
SMB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
56В
Обозначение производителя
P6SMB56A M4G
Обратное напряжение макс.
47,8В
Погрешность
±5%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
0,6кВт
Серия производителя
P6SMB
Тип диода
TVS
Ток утечки
1мкА
Отзывы не найдены