PJMD900N60EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 9,7А; 47,5Вт; TO252AA

PJMD900N60EC-L2
189.58 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
Цена
120.09 ₽
83.84 ₽
76.28 ₽
72.51 ₽
69.49 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "PJMD900N60EC_L2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 9,7А; 47,5Вт; TO252AA" 1.

Артикул производителя
PJMD900N60EC_L2_00001 PanJit Semiconductor
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,8нC
Корпус
TO252AA
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
PJMD900N60EC_L2_00001
Полярность
полевой
Производитель
PanJit Semiconductor
Рассеиваемая мощность
47,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
9,7А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России