PJW4N06A_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; Idm: 8А; 3,1Вт; SOT223

PJW4N06A-R2
Свяжитесь с нами насчёт цены
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "PJW4N06A_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; Idm: 8А; 3,1Вт; SOT223" 1.

Артикул производителя
PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
5,1нC
Корпус
SOT223
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
PJW4N06A_R2_00001
Полярность
полевой
Производитель
PanJit Semiconductor
Рассеиваемая мощность
3,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены