PMZ1000UN,315, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 480мА; Idm: 1,8А; 350мВт

PMZ1000UN.315

Срок поставки 4-6 недель

0.00 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "PMZ1000UN,315, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 480мА; Idm: 1,8А; 350мВт" 1.

Артикул производителя
PMZ1000UN,315 NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,89нC
Код производителя
PMZ1000UN,315
Корпус
DFN1006-3, SOT883
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Технология
Trench
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
0,48А
Ток стока в импульсном режиме
1,8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России