R6004JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 12А; 60Вт; TO252

R6004JND3TL1
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "R6004JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 12А; 60Вт; TO252" 1.

Артикул производителя
R6004JND3TL1 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10,5нC
Корпус
TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
R6004JND3TL1
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
60Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,43Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
12А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены