RF4E080GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S

RF4E080GNTR

Срок поставки 4-6 недель

123.51 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
Цена
81.77 ₽
54.51 ₽
46.00 ₽
43.44 ₽
Доступность: 2990 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E080GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Артикул производителя
RF4E080GNTR ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
5,8нC
Код производителя
RF4E080GNTR
Корпус
DFN2020-8S
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
17,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
32А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России