RF4E100AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

RF4E100AJTCR
191.09 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
15000+
Цена
123.11 ₽
84.59 ₽
69.49 ₽
63.44 ₽
56.65 ₽
52.87 ₽
50.60 ₽
48.34 ₽
Доступность: 2780 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "RF4E100AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Артикул производителя
RF4E100AJTCR ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
13нC
Корпус
DFN2020-8S
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
RF4E100AJTCR
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
10А
Ток стока в импульсном режиме
36А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России