RQ3E070BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8

RQ3E070BNTB

Срок поставки 4-6 недель

108.18 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
83.48 ₽
71.55 ₽
41.74 ₽
30.66 ₽
27.26 ₽
26.41 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RQ3E070BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3E070BNTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,9нC
Код производителя
RQ3E070BNTB
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
13Вт
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
15А
Ток стока в импульсном режиме
28А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России