RQ3E080GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8

RQ3E080GNTB

Срок поставки 4-6 недель

117.55 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
Цена
70.70 ₽
39.18 ₽
28.96 ₽
28.11 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RQ3E080GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3E080GNTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
5,8нC
Код производителя
RQ3E080GNTB
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
14Вт
Сопротивление в открытом состоянии
31,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
18А
Ток стока в импульсном режиме
32А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России