RQ3E100BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8

RQ3E100BNTB

Срок поставки 4-6 недель

119.25 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
Цена
74.11 ₽
46.85 ₽
35.78 ₽
34.07 ₽
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E100BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3E100BNTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
22нC
Код производителя
RQ3E100BNTB
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
15,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
21А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России