RQ3E120GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8

RQ3E120GNTB

Срок поставки 4-6 недель

94.55 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
Цена
74.11 ₽
52.81 ₽
40.89 ₽
40.89 ₽
Доступность: 2716 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E120GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3E120GNTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10нC
Код производителя
RQ3E120GNTB
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
13,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
27А
Ток стока в импульсном режиме
48А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России