RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8

RQ3E160ADTB

Срок поставки 4-6 недель

109.03 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
5000+
Цена
90.29 ₽
74.11 ₽
63.88 ₽
59.63 ₽
52.81 ₽
51.11 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3E160ADTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
51нC
Код производителя
RQ3E160ADTB
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16А
Ток стока в импульсном режиме
64А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России