RQ3G100GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 27А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8

RQ3G100GNTB

Срок поставки 4-6 недель

134.58 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
86.03 ₽
57.92 ₽
44.29 ₽
40.03 ₽
38.33 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RQ3G100GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 27А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3G100GNTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,4нC
Код производителя
RQ3G100GNTB
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
18,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
27А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России