RQ3G150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 39А; Idm: 60А; 20Вт; HSMT8

RQ3G150GNTB

Срок поставки 4-6 недель

270.02 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
Цена
165.25 ₽
149.91 ₽
129.47 ₽
118.40 ₽
109.88 ₽
103.07 ₽
91.99 ₽
86.03 ₽
82.62 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RQ3G150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 39А; Idm: 60А; 20Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3G150GNTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
24,1нC
Код производителя
RQ3G150GNTB
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
20Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
39А
Ток стока в импульсном режиме
60А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России