RQ3L050GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 20А; 14,8Вт; HSMT8

RQ3L050GNTB
172.96 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
5000+
Цена
122.36 ₽
84.59 ₽
63.44 ₽
55.14 ₽
43.81 ₽
43.05 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "RQ3L050GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 20А; 14,8Вт; HSMT8" 1.

Артикул производителя
RQ3L050GNTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
5,3нC
Корпус
HSMT8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
RQ3L050GNTB
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
14,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
86мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
13А
Ток стока в импульсном режиме
20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России