RS1E301GNTB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 120А; 33Вт; HSOP8

RS1E301GNTB1

Срок поставки 4-6 недель

294.72 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
2500+
5000+
Цена
212.10 ₽
171.21 ₽
155.88 ₽
143.10 ₽
132.03 ₽
116.70 ₽
106.47 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RS1E301GNTB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 80А; Idm: 120А; 33Вт; HSOP8" 1.

Артикул производителя
RS1E301GNTB1 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
39,8нC
Код производителя
RS1E301GNTB1
Корпус
HSOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
80А
Ток стока в импульсном режиме
120А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России