RS1G300GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; Idm: 120А; 35Вт; HSOP8

RS1G300GNTB
0.00 
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "RS1G300GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; Idm: 120А; 35Вт; HSOP8" 1.

Артикул производителя
RS1G300GNTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
56,8нC
Корпус
HSOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
RS1G300GNTB
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
35Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
80А
Ток стока в импульсном режиме
120А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены