RS1G300GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; Idm: 120А; 35Вт; HSOP8

RS1G300GNTB

Срок поставки 4-6 недель

140.55 
Оптовые цены:
Кол-во
2500+
Цена
140.55 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "RS1G300GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; Idm: 120А; 35Вт; HSOP8" 2500.

Артикул производителя
RS1G300GNTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
56,8нC
Код производителя
RS1G300GNTB
Корпус
HSOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
35Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
80А
Ток стока в импульсном режиме
120А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России