SCT2H12NYTB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 10А; 44Вт; TO268

SCT2H12NYTB

Срок поставки 4-6 недель

0.00 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SCT2H12NYTB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 10А; 44Вт; TO268" 1.

Артикул производителя
SCT2H12NYTB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
14нC
Код производителя
SCT2H12NYTB
Корпус
TO268
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-6...22В
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
44Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
10А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России