SCT2H12NZGC11, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,7А; Idm: 9,2А; 35Вт

SCT2H12NZGC11
1 049.80 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
20+
30+
120+
Цена
980.24 ₽
912.25 ₽
815.81 ₽
750.99 ₽
701.98 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "SCT2H12NZGC11, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,7А; Idm: 9,2А; 35Вт" 1.

Артикул производителя
SCT2H12NZGC11 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
14нC
Корпус
TO3PFM
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-6...22В
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Обозначение производителя
SCT2H12NZGC11
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
35Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
3,7А
Ток стока в импульсном режиме
9,2А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены