Москва
 +7(993)080-09-37

SI1012CR-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A

Написать отзыв
SI1012CR-T1-GE3
46.83 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
15+
50+
100+
200+
500+
Цена
36.25 ₽
33.23 ₽
24.92 ₽
21.15 ₽
18.13 ₽
17.37 ₽
Доступность: 199 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI1012CR-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI1012CR-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2нC
Корпус
SC75A
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI1012CR-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
396мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
0,63А
Ток стока в импульсном режиме
2А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России