SI1012R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A; ESD

SI1012R-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

52.81 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
25+
100+
500+
Цена
52.81 ₽
47.70 ₽
41.74 ₽
40.03 ₽
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1012R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

Артикул производителя
SI1012R-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,75нC
Код производителя
SI1012R-T1-GE3
Корпус
SC75A
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±6В
Напряжение сток-исток
20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
80мВт
Сопротивление в открытом состоянии
0,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
0,35А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России