SI1012X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC89,SOT563; ESD

SI1012X-T1-GE3
53.63 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
25+
100+
500+
3000+
Цена
53.63 ₽
48.34 ₽
43.05 ₽
38.52 ₽
35.50 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI1012X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC89,SOT563; ESD" 3.

Артикул производителя
SI1012X-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,75нC
Корпус
SC89, SOT563
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±6В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI1012X-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
80мВт
Сопротивление в открытом состоянии
0,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
0,35А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России