SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23

SI2304BDS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

55.37 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
25+
100+
500+
3000+
Цена
55.37 ₽
50.26 ₽
44.29 ₽
40.03 ₽
37.48 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23" 3.

Артикул производителя
SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
4нC
Код производителя
SI2304BDS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,48Вт
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,6А
Ток стока в импульсном режиме
10А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России