SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23

SI2308BDS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

117.55 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
1500+
3000+
Цена
80.92 ₽
58.77 ₽
51.96 ₽
46.00 ₽
40.89 ₽
38.33 ₽
35.78 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2,3нC
Код производителя
SI2308BDS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,06Вт
Сопротивление в открытом состоянии
192мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,8А

Отзывы не найдены

Описание (si2308bds.pdf, 257 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России