SI2308CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23

SI2308CDS-T1-GE3
66.47 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
Цена
53.63 ₽
30.97 ₽
20.39 ₽
19.64 ₽
Доступность: 10477 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2308CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
4нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
SI2308CDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
144мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,6А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России