SI2312CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23

SI2312CDS-T1-GE3
108.01 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
83.84 ₽
72.51 ₽
43.81 ₽
31.72 ₽
27.95 ₽
23.41 ₽
23.41 ₽
Доступность: 321 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2312CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,8нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI2312CDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
41,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
5,1А

Отзывы не найдены

Описание (si2312cd.pdf, 251 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России