Москва
 +7(993)080-09-37

SI2316BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А

Написать отзыв
SI2316BDS-T1-E3
95.92 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
9000+
Цена
81.57 ₽
62.69 ₽
57.40 ₽
53.63 ₽
48.34 ₽
45.32 ₽
43.05 ₽
41.54 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI2316BDS-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
9,6нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI2316BDS-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,5А
Ток стока в импульсном режиме
20А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России