SI2316BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А

SI2316BDS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

149.91 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
3000+
Цена
114.99 ₽
103.07 ₽
91.14 ₽
81.77 ₽
76.66 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Артикул производителя
SI2316BDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
9,6нC
Код производителя
SI2316BDS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,66Вт
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,5А
Ток стока в импульсном режиме
20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России