SI2318DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23

SI2318DS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

68.14 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
25+
100+
500+
3000+
Цена
68.14 ₽
61.33 ₽
54.51 ₽
48.55 ₽
45.14 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23" 3.

Артикул производителя
SI2318DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10нC
Код производителя
SI2318DS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,48Вт
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,4А

Отзывы не найдены

Описание (si2318ds.pdf, 198 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России